Recensione 2x1gb DDR2 Kingston KHX 8000D2

2x1gb DDR2 Kingston KHX 8000D2

Dopo aver testato le ram top gamma di OCZ, Gskill, Mushkin è arrivato il momento di provare in anteprima le Kingston, con la propria versione di PC8000.

I moduli sono equipaggiati da dissipatori in alluminio blu satinato con clip di ritenzione e accoppiati tramite l' uso di un adesivo termico.

Il PCB è un classico Brainpower a 6 strati ULN ormai collaudatissimo e usato da tutti i produttori di ram ad alte prestazioni.

I chip impiegati dovrebbero essere D9 visto che garantiscono ottime prestazioni, infatti sono montati sui kit di alta gamma di tutti i più grandi produttori di ram.

Ecco le specifiche:

* Package : 2048MB kit (2x1024MB)
* CAS Latency : 5-5-5-15 (PC8000)
* Test Voltage : 2.2 V
* PCB Board : 6 Layers PCB
* Speed : DDR II 1000 MHZ (PC8000)
* Type : 240-pin DDR2 SDRAM
* Error Checking : Non-ECC
* Registered/Unbuffered : Unbuffered
* Quality Control :Comprehensive rigorously tested in pair at dual channel environment

Queste ram possiamo considerarle di alta gamma, quella che nel campo dei kit da 2 Gb va da 400 a oltre 500 €. Sono garantite dalla casa a 500 MHz (1000 MHz DDR2), con timing molto spinti analizzando la frequenza di funzionamento. Grazie all’ottimo sistema di dissipazione, la casa ha potuto garantire le ram con un funzionamento quotidiano a un voltaggio di 2.2v

Queste ram sulla carta offrono grandi prestazioni, adatte soprattutto ai video-giocatori più incalliti che non vogliono perdersi neanche un frame, oppure agli amanti dei benchmark, sempre alla ricerca di maggiori frames al 3d mark, oppure all’ultimo decimo nel s-pi.

CONFIGURAZIONE e TEST:

Intel P4 631 cooled by Zalman 7000-b Cu
Asus P5WD2-E premium 975X bios 302
2x1gb DDR2 Kingston KHX 8000D2
OCZ 520
NVIDIA 7600 GT POV
S.O. Windows 2003 server
Software utilizzato: S-pi 1.4 Mod.

I test sono stati fatti a 2 voltaggi differenti 2.25v (per simulare un utilizzo quotidiano) e 2.40 v (per simulare un utilizzo da benchmark, analizzare il comportamento e l’eventuale miglioramento delle ram all’incremento del voltaggio).
Per il s-pi sono stati fatti 2 test: 1 M per testare la stabilità minima, e il 32 M per verificare una stabilità maggiore.
Tra i vari timings che possiamo modificare (in genere accessibili dal sottomenu Advanced Chipset Features del bios della propria scheda madre) sono quattro le sigle che più di frequente vengono ricordate:

* CAS Latency (Tcl): indica il ritardo, in termini di cicli di clock, tra l'inoltro di una richiesta in lettura e l'istante in cui il dato è pronto per l'uscita. A valori inferiori della latenza corrispondono prestazioni velocistiche superiori. Ovviamente, una latenza pari a 3 implica performance differenti se la memoria opera alla frequenza di 166 MHz o 200 MHz oppure, ancora, a quella di 250 MHz.

* RAS to CAS Delay (Trcd): i dati contenuti nei moduli memoria vengono disposti e letti in righe e colonne, partendo sempre prima dalle righe e, in seguito, passando alle colonne. Il Ras to Cas Delay indica il ritardo (delay), in termini di cicli di clock, tra il segnale di RAS e quello di CAS. A valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

* RAS Precharge Time (Trp): tale valore indica l'intervallo di tempo (sempre espresso in cicli di clock) tra un comando RAS e il successivo. In questo intervallo vengono precaricati i condensatori della memoria. L'operazione di precharge si rende indispensabile per la caratteristica peculiare delle DRAM di cui si è discusso in precedenza. Ovviamente, anche in questo caso, a valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

* Cycle Time (Tras): intervallo di tempo (espresso in cicli di clock) necessario per prelevare un dato da una cella di memoria e renderlo disponibile per l'output.

A valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

I timing sempre settati da bios, nei vari grafici sono nel seguente ordine:

CAS-TRCD-TRP-TRAS.

La cpu ha il moltiplicatore bloccato, e quindi per verificare la stabilità alle alte frequenze, anziché andare in sincrono, sono stati utilizzati i vari divisori disponibili: 4/5, 3/5, 2/3,1/2.

CONCLUSIONI

Come possiamo vedere dalle varie prove, le memorie reagiscono molto bene all’incremento di voltaggio, con un aumento delle frequenze che varia dal 5 al 10%, sia nel s-pi 1 M che nel 32 M. Non abbiamo rilassato ulteriormente i timing perché comunque oltre i 560 mhz (1120 MHz DDR2) non riuscivamo a entrare in Windows, evidentemente siamo arrivati al limite fisico di questi chip. Lo dimostra il fatto che passando da timing 4434 a timing 4444 il miglioramento è irrilevante. Tra i punti di forza, di sicuro ci sono le prestazioni, e il sistema di dissipazione che anche con 2.40 v permetteva di mantenere basse temperature dei chip.

Il prezzo è allineato con la concorrenza di questa fascia di prestazioni.

Prestazioni